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AOT284L  与  IRFB4110PBF  区别

型号 AOT284L IRFB4110PBF
唯样编号 A-AOT284L A-IRFB4110PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@20A,10V 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 250W 370W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 105A 180A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 196 1,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥11.4286
100+ :  ¥8.2353
500+ :  ¥7.0886
1,000+ :  ¥5.6
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