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AOT2618L  与  IRFZ44EPBF  区别

型号 AOT2618L IRFZ44EPBF
唯样编号 A-AOT2618L A-IRFZ44EPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 60 V 110 W 60 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@10V 23mΩ@29A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 25mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 23A 48A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 950 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1360pF @ 25V
Trr(ns) 20 -
Td(off)(ns) 18 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 41.5W 110W(Tc)
Qrr(nC) 70 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
Coss(pF) 108 -
Qg*(nC) 6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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