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AOT260L  与  IPP120N06S4H1AKSA1  区别

型号 AOT260L IPP120N06S4H1AKSA1
唯样编号 A-AOT260L A-IPP120N06S4H1AKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 40 -
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 2.9mΩ -
产品特性 - 车规
Qgd(nC) 15 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21900pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 30 -
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 140A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 11800 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 74 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 330W -
Qrr(nC) 200 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 1360 -
Qg*(nC) 150* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT260L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
PSMN2R6-60PSQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R6-60PS_SOT78

¥14.1762 

阶梯数 价格
20: ¥14.1762
50: ¥11.6198
0 对比
IPP024N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP024N06N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-60PS_SOT78

¥17.8837 

阶梯数 价格
20: ¥17.8837
50: ¥14.6588
0 对比
IPP120N06S4H1AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRFB3006PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比

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