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AOT254L  与  IRF3415PBF  区别

型号 AOT254L IRF3415PBF
唯样编号 A-AOT254L A-IRF3415PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 200 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 4 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@10V 42mΩ@22A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 53mΩ -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 9 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 32A 43A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 2150 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 25V
Trr(ns) 51 -
Td(off)(ns) 29 -
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 125W 200W(Tc)
Qrr(nC) 434 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 12 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT254L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IRFB5615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥10.0616 

阶梯数 价格
20: ¥10.0616
50: ¥9.6783
100: ¥9.3908
500: ¥9.295
1,000: ¥9.1033
1,000 对比
IRFB5615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥3.784 

阶梯数 价格
20: ¥3.784
50: ¥2.904
925 对比
IRFB5615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥10.0616 

阶梯数 价格
20: ¥10.0616
50: ¥9.6783
100: ¥9.3908
500: ¥9.295
630 对比
IRF3415PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB41N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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