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AON7530  与  IRFHM8326TRPBF  区别

型号 AON7530 IRFHM8326TRPBF
唯样编号 A-AON7530 A-IRFHM8326TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFHM8326 Series 30 V 70 A 4.7 mOhm N-Ch HEXFET Power MOSFET - PQFN 3.3X3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 70 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@10V 4.7mΩ@20A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.2mΩ -
Qgd(nC) 4 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP PQFN
连续漏极电流Id 30A 19A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1320 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2496pF @ 10V
Trr(ns) 13.5 -
Td(off)(ns) 21 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 24W 2.8W(Ta),37W(Tc)
Qrr(nC) 20.6 -
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2496pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
Coss(pF) 530 -
Qg*(nC) 8.8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7530 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 24W 4.7mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
NVTFS4C06NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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IRFHM8326TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 4.7mΩ@20A,10V PQFN N-Channel 30V 19A

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