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AON7502  与  IRFH8324TR2PBF  区别

型号 AON7502 IRFH8324TR2PBF
唯样编号 A-AON7502 A-IRFH8324TR2PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 63 -
功率耗散(最大值) - 3.6W(Ta),54W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.6mΩ -
Qgd(nC) 3.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2380pF @ 10V
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 30A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1022 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.1 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 15.3 -
Td(off)(ns) 17.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 31W -
Qrr(nC) 20 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 574 -
Qg*(nC) 6.2 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7502 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 当前型号
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.892 

阶梯数 价格
30: ¥1.892
100: ¥1.452
1,000: ¥1.21
2,000: ¥1.012
2,000 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.7028 

阶梯数 价格
30: ¥1.7028
100: ¥1.3068
1,000: ¥1.089
1,823 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH8324TR2PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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