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AON6796  与  BSZ0589NSATMA1  区别

型号 AON6796 BSZ0589NSATMA1
唯样编号 A-AON6796 A-BSZ0589NSATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 60 -
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 5mΩ -
Qgd(nC) 3 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 950pF @ 15V
栅极电压Vgs 12V -
Td(on)(ns) 6.5 -
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 70A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1350 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.4 毫欧 @ 8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode Yes -
Trr(ns) 13 -
Td(off)(ns) 26 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 31W -
Qrr(nC) 22 Ohms -
VGS(th) 1.9 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 450 -
Qg*(nC) 10.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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