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AON6384  与  IRFH8316TRPBF  区别

型号 AON6384 IRFH8316TRPBF
唯样编号 A-AON6384 A-IRFH8316TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@20A,10V 2.95mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 36W 3.6W(Ta),59W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 EP 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 83A 27A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3610pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3610pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
库存与单价
库存 2,980 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.359
100+ :  ¥3.4694
1,000+ :  ¥2.5
1,500+ :  ¥2.1519
3,000+ :  ¥1.7
暂无价格
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