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AON6360  与  TPN2R703NL,L1Q  区别

型号 AON6360 TPN2R703NL,L1Q
唯样编号 A-AON6360 A-TPN2R703NL,L1Q
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 80 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 5mΩ -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 5.8 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2100 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 300uA
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 8 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 21 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 8-TSON Advance(3.1x3.1)
连续漏极电流Id 85A 45A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1590 -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 14.5 -
Td(off)(ns) 24 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 42W 700mW(Ta),42W(Tc)
Qrr(nC) 31 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.7 毫欧 @ 22.5A,10V
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Coss(pF) 660 -
Qg*(nC) 11.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6360 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
TPN2R703NL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比
AON6360P AOS 功率MOSFET

8-DFN-EP(5x6)

暂无价格 0 对比

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