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AON2420  与  DMN3016LFDE-13  区别

型号 AON2420 DMN3016LFDE-13
唯样编号 A-AON2420 A36-DMN3016LFDE-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 28 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ@10V 12mΩ@11A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 17.5mΩ -
Qgd(nC) 1.7 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 4.8 -
封装/外壳 DFN 2x2B UDFN
连续漏极电流Id 8A 10A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 552 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 13.2 -
Td(off)(ns) 18.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 730mW(Ta)
Qrr(nC) 3.2 -
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1415pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25.1nC @ 10V
Coss(pF) 227 -
Qg*(nC) 4.3 -
库存与单价
库存 4 7,957
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥3.0769
100+ :  ¥2.449
1,000+ :  ¥1.7647
1,500+ :  ¥1.519
3,000+ :  ¥1.2
50+ :  ¥1.144
100+ :  ¥0.9119
500+ :  ¥0.8294
2,500+ :  ¥0.7678
5,000+ :  ¥0.7326
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON2420 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN2x2B

¥3.0769 

阶梯数 价格
1: ¥3.0769
100: ¥2.449
1,000: ¥1.7647
1,500: ¥1.519
3,000: ¥1.2
4 当前型号
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

UDFN

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
100: ¥0.9119
500: ¥0.8294
2,500: ¥0.7678
5,000: ¥0.7326
7,957 对比
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

UDFN

暂无价格 0 对比
DMN3016LFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN2020-6(F类)

暂无价格 0 对比
DMN3016LFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN2020-6(F类)

暂无价格 0 对比

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