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AOD7S65  与  IPD60R650CEAUMA1  区别

型号 AOD7S65 IPD60R650CEAUMA1
唯样编号 A-AOD7S65 A-IPD60R650CEAUMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 CONSUMER
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1 Ohms -
Td(off)(ns) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 650mΩ@10V -
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 89W -
Qrr(nC) 2800 -
VGS(th) 4 -
Qgd(nC) 2.7 -
栅极电压Vgs 30V -
FET类型 N-Channel -
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-252 PG-TO252-3
连续漏极电流Id 7A -
Ciss(pF) 434 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 224 -
Coss(pF) 30 -
Qg*(nC) 9.2* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IPD65R660CFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R660CFD_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R650CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R650CE_PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R750E6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R660CFDATMA1_650V 6A 660mΩ 30V 63W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK7P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 6.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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