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AOD4184A  与  IPD75N04S406ATMA1  区别

型号 AOD4184A IPD75N04S406ATMA1
唯样编号 A-AOD4184A A3a-IPD75N04S406ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 135 -
功率耗散(最大值) - 58W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 9.5mΩ -
Qgd(nC) 6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2550pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 6 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 50A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1500 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.9 毫欧 @ 75A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 29 -
Td(off)(ns) 30 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 26 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 26uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 75A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 215 -
Qg*(nC) 14 -
库存与单价
库存 0 6,850
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.849
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