首页 > 商品目录 > > > > AOD4184A代替型号比较

AOD4184A  与  AUIRFR4104  区别

型号 AOD4184A AUIRFR4104
唯样编号 A-AOD4184A A-AUIRFR4104
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 140 W 59 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 135 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V 5.5mΩ@42A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 9.5mΩ -
Qgd(nC) 6 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 6 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 50A 119A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1500 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2950pF
Trr(ns) 29 -
Td(off)(ns) 30 -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 50W 140W(Tc)
Qrr(nC) 26 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2950pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 89nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 89nC
Coss(pF) 215 -
Qg*(nC) 14 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥4.972 

阶梯数 价格
3,000: ¥4.972
6,000: ¥4.906
9,000 对比
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.288 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.288
5,000: ¥2.068
7,500 对比
IPD75N04S406ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD75N04S4-06_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.849 

阶梯数 价格
20: ¥2.849
6,850 对比
IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.344 

阶梯数 价格
20: ¥3.344
4,341 对比
IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥4.147 

阶梯数 价格
2,000: ¥4.147
4,000: ¥4.103
4,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售