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AOB414  与  IRL2910STRRPBF  区别

型号 AOB414 IRL2910STRRPBF
唯样编号 A-AOB414 A-IRL2910STRRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@10V 26mΩ@29A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs 25V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 51A 55A(Tc)
Ciss(pF) 1770 -
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF
Trr(ns) 20 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W -
Qrr(nC) 82 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC
Coss(pF) 165 -
Qg*(nC) 28* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB414 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 25V 51A 150W 25mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
AOB414_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

6.6A(Ta),51A(Tc) N-Channel ±25V 25 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.5W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IRF540ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRL2910STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 55A(Tc) 26mΩ@29A,10V D2PAK

暂无价格 0 对比

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