首页 > 商品目录 > > > > AOB25S65L代替型号比较

AOB25S65L  与  SPB20N60C3ATMA1  区别

型号 AOB25S65L SPB20N60C3ATMA1
唯样编号 A-AOB25S65L A-SPB20N60C3ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 208W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190 mΩ @ 12.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 25A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 13.1A,10V
栅极电荷Qg 26.4nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB25S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
IPB60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6ATMA1_10mm

¥2.024 

阶梯数 价格
1: ¥2.024
2: ¥1.862
4: ¥1.7129
4 对比
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R190C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
SPB20N60C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB20N60C3_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售