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AOB25S65L  与  IPB65R150CFD  区别

型号 AOB25S65L IPB65R150CFD
唯样编号 A-AOB25S65L A-IPB65R150CFD
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190 mΩ @ 12.5A,10V 135mΩ
上升时间 - 7.6ns
漏源极电压Vds 650V 650V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) 195.3W
Qg-栅极电荷 - 86nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 52.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263(D?Pak) -
连续漏极电流Id 25A(Tc) 22.4A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
栅极电荷Qg 26.4nC @ 10V -
下降时间 - 5.6ns
典型接通延迟时间 - 12.4ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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