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AOB1608L  与  IPB80N06S4L07ATMA1  区别

型号 AOB1608L IPB80N06S4L07ATMA1
唯样编号 A-AOB1608L A-IPB80N06S4L07ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 56 -
功率耗散(最大值) - 79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.3mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 21 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5680pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 140A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 3069 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 40 -
Td(off)(ns) 47 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 333W -
Qrr(nC) 355 -
VGS(th) 3.7 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 40uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 721 -
Qg*(nC) 69 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK966R5-60E_SOT404

¥11.983 

阶梯数 价格
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160 对比
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¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
40 对比
IPB80N06S405ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPB054N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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