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AO4419  与  IRF9393TRPBF  区别

型号 AO4419 IRF9393TRPBF
唯样编号 A-AO4419 A36-IRF9393TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 32.5mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
引脚数目 - 8
Qgd(nC) 4.6 -
最小栅阈值电压 - 1.3V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 -
连续漏极电流Id -9.7A 9.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1040 -
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V,20V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 25V
高度 - 1.50mm
Trr(ns) 11.5 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
Td(off)(ns) 26 -
漏源极电压Vds -30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W
Qrr(nC) 25 -
晶体管配置 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
正向跨导 - 13S
库存与单价
库存 0 6,712
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
480+ :  ¥2.5734
1,000+ :  ¥2.025
1,500+ :  ¥1.5836
3,000+ :  ¥1.2352
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.309
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥1.0978
4,000+ :  ¥1.045
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阶梯数 价格
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100: ¥2.024
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阶梯数 价格
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100: ¥1.309
1,000: ¥1.166
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