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AO4264E  与  DMT6009LSS-13  区别

型号 AO4264E DMT6009LSS-13
唯样编号 A-AO4264E A-DMT6009LSS-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 28 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.8mΩ@10V -
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 13.5mΩ -
Qgd(nC) 3.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1925 pF @ 30 V
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 8.5 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 13.5A 10.8A(Ta)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
Ciss(pF) 1100 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 18.5 -
Td(off)(ns) 50 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 1.25W(Ta)
Qrr(nC) 59 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.5mΩ@13.5A,10V
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 - 4.5V,10V
Coss(pF) 300 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥3.4493
1,000+ :  ¥2.7142
1,500+ :  ¥2.1226
3,000+ :  ¥1.6557
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