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AO3424  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 AO3424 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A-AO3424 A-IRLML9301TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 18 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.8A,10V 64mΩ@3.6A,10V
Rds On(Max)@4.5V 65mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 3.5 -
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 3.8A 3.6A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 235 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 17.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.5 -
FET类型 N-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 4.7 -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 当前型号
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 142,000 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.661 

阶梯数 价格
40: ¥1.661
100: ¥1.276
750: ¥1.0648
1,500: ¥0.968
3,000: ¥0.8888
5,668 对比
DMN3200U-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.2A(Ta)

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5161
1,500: ¥0.4485
3,000: ¥0.3965
4,733 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta)

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.353
750: ¥1.21
1,500: ¥1.144
2,861 对比

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