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2N7002-13-F  与  2N7002LT1G  区别

型号 2N7002-13-F 2N7002LT1G
唯样编号 A-2N7002-13-F A36-2N7002LT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 DIODE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 225mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.23 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 170mA(Ta) 0.115A
驱动电压 5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
库存与单价
库存 0 13,882
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
260+ :  ¥0.195
1,500+ :  ¥0.1695
3,000+ :  ¥0.15
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002-13-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 170mA(Ta)

暂无价格 0 当前型号
2N7002LT1G ON Semiconductor 小信号MOSFET

N-Channel ±20V 7.5 欧姆 @ 500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 60V 0.115A

¥0.195 

阶梯数 价格
260: ¥0.195
1,500: ¥0.1695
3,000: ¥0.15
13,882 对比
PMBF170,215 Nexperia  数据手册 JFET(结型场效应晶体管)

PMBF170_null

暂无价格 109 对比
PMBF170,235 Nexperia  数据手册 JFET(结型场效应晶体管)

PMBF170_null

¥0.2608 

阶梯数 价格
2,420: ¥0.2608
5,000: ¥0.2138
10,000: ¥0.1892
0 对比
PMBF170,215 Nexperia  数据手册 JFET(结型场效应晶体管)

PMBF170_null

¥0.3364 

阶梯数 价格
570: ¥0.3364
1,000: ¥0.2608
1,500: ¥0.2138
3,000: ¥0.1892
0 对比
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@1.2A,10V N-Channel 60V 1.2A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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