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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-247 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 85W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 585mΩ@3A,18V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | -6~22V | |
| 连续漏极电流Id | 10A | |
| 漏源极电压Vds | 1200V |
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2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
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