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功率MOSFET   TO-3PFM

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制造商编号 SCT2H12NZGC11
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-SCT2H12NZGC11
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:+22V,-6V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@1.1A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3PFM
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 900µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 18V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 184pF @ 800V
栅极电压Vgs +22V,-6V
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.5Ω@1.1A,18V
工作温度 175°C(TJ)
封装/外壳 TO-3PFM
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 1700V
连续漏极电流Id 3.7A
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