| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.7156
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0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V 20V 15A 3.1W 8.8mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 17mΩ | |
| VGS(th) | 2.3 | |
| Ciss(pF) | 542 | |
| Coss(pF) | 233 | |
| Crss(pF) | 31 | |
| Qg*(nC) | 4.3 | |
| Qgd(nC) | 1.7 | |
| Td(on)(ns) | 4 | |
| Td(off)(ns) | 18 | |
| Trr(ns) | 9.7 | |
| Qrr(nC) | 11.5 |
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AOSP36326C
自营库存：0
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 405,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,055 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
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