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功率MOSFET   DFN5x6

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制造商编号 AON6262E
制 造 商 AOS(美国万代)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-AON6262E
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:±20V 连续漏极电流Id:40A
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 DFN 5x6
FET类型 N-Channel
ESD Diode Yes
漏源极电压Vds 60V
栅极电压Vgs ±20V
连续漏极电流Id 40A
Pd-功率耗散(Max) 48W
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.2mΩ@20A,10V
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  14,267

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥2.112
100+ ¥1.694
750+ ¥1.507
1,500+ ¥1.419

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥1.353
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若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:3,000 
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生产日期  :  2年内

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NCEP039N10D 28,800

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6262E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.694
750: ¥1.507
1,500: ¥1.419
3,000: ¥1.353
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¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
100: ¥2.607
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