制造商编号 | SI7121ADN-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SI7121ADN-T1-GE3-1 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
P Channel 30 V 15 mO 3.5 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPak 1212-8 (3x3)
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图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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数据手册 |
P-Channel 12A(Ta) ±25V 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 15m Ohms@7A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 PowerPak1212-8 30V 18A 21mΩ 2.5V |
¥2.0097
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6,184 | 当前型号 | |||||||||||||
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数据手册 |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
BSZ120P03NS3EGATMA1_30V 40A 9mΩ 25V 52W P-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
¥2.3793
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0 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±25V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 10mΩ@11A,20V P-Channel 30V 11A PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
系列 | TrenchFET® | |
FET类型 | P-Channel | |
连续漏极电流Id | 12A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 50nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1870pF @ 15V | |
栅极电压Vgs | ±25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.5W(Ta),27.8W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 15m Ohms@7A,10V | |
工作温度 | -50°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | |
封装/外壳 | PowerPak1212-8 | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 18A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ | |
漏源极电压Vds | 2.5V |
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高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 510,000 |
LP2301LT1G | 393,000 |
PJA3430_R1_00001 | 63,000 |
CRSM013N06N4Z | 50,000 |
AONR21357_203 | 30,000 |