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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2715pF @ 75V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),104W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18m Ohms@9.6A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | Power | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 150V | |
| 连续漏极电流Id | 9.6A | |
| 连续漏极电流Id | 9.6A(Ta),35A(Tc) | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2715pF @ 75V | |
| 功率 | 2.5W(Ta),104W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 毫欧 @ 9.6A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 75V |
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FDMS86200
严选库存：5
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) Power N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 4 | 当前型号 | |
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BSC190N15NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC190N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC190N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC190N15NS3GATMA1_150V 50A 19mΩ@50A,10V ±20V 125W -55°C~150°C N-Channel TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
