制造商编号 | PMZB600UNELYL |
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商品别名 | PMZB600UNEL |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PMZB600UNELYL |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
封装/外壳 | SOT883B | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 850mΩ@2.5V,620mΩ@4.5V | |
Pd-功率耗散(Max) | 0.36W | |
工作温度 | 150℃ | |
栅极电压Vgs | 0.7V,8V | |
漏源极电压Vds | 20V | |
输入电容 | 21.3pF | |
输出电容 | 5.4pF | |
连续漏极电流Id | 0.6A |
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PMZB600UNELYL
自营库存:50
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM,非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMZB200UNEYL | 15,500 |
2N7002HR | 12,000 |
S-L2N7002SLT1G | 10,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
RV2C014BCT2CL | 8,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMZB600UNELYL | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMZB600UNEL_SOT883B N-Channel 0.36W 150℃ 0.7V,8V 20V 0.6A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RV2C002UNT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 180mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V 150°C(TJ) SC-101,SOT-883 |
¥0.2848
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40,009 | 对比 | ||||||||||
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RV3C002UNT2CL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 150mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 3-XFDFN |
暂无价格 | 7,898 | 对比 | ||||||||||
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RV3C002UNT2CL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 150mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 3-XFDFN |
¥1.1883
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3,836 | 对比 | ||||||||||
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RV2C002UNT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 180mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V 150°C(TJ) SC-101,SOT-883 |
¥0.6663
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3,173 | 对比 | ||||||||||
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RV2C002UNT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 180mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V 150°C(TJ) SC-101,SOT-883 |
¥0.6663
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3,100 | 对比 |