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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
封装/外壳 | SC70-3 | |
FET类型 | N-Channel | |
ESD Diode | No | |
Schottky Diode | No | |
漏源极电压Vds | 20V | |
栅极电压Vgs | 8V | |
连续漏极电流Id | 2A | |
Pd-功率耗散(Max) | 0.35W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 62mΩ@4.5V | |
Rds On(Max)@2.5V | 70mΩ | |
Rds On(Max)@1.8V | 85mΩ | |
VGS(th) | 1 Ohms | |
Ciss(pF) | 260 | |
Coss(pF) | 48 | |
Crss(pF) | 27 | |
Qg*(nC) | 2.9 | |
Qgd(nC) | 0.6 | |
Td(on)(ns) | 2.5 | |
Td(off)(ns) | 21 | |
Trr(ns) | 14 | |
Qrr(nC) | 3.4 |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMZB200UNEYL | 15,500 |
2N7002HR | 12,000 |
S-L2N7002SLT1G | 10,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
RV2C014BCT2CL | 8,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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![]() |
AO7414 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-3 N-Channel 20V 8V 2A 0.35W 62mΩ@4.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMF63UNEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMF63UNE_SOT323 N-Channel 0.3W 150℃ 0.7V,8V 20V 2.2A |
¥1.1819
|
15,200 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A |
¥0.6611
|
3,865 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
![]() |
DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO7414_001 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2A(Ta) N-Channel ±8V 62 mΩ @ 2A,4.5V SC-70-3 350mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |