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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用存储器 | |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1(无限) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| 存储容量 | 16kbit | |
| 宽度 | 4mm(Max) | |
| 工作电源电压 | 3.3V,5V | |
| 工作电源电流(mA) | 2mA | |
| 接口类型 | Serial,2-Wire,I2C | |
| 数据保留 | 40Year | |
| 最大时钟频率 | 0.4MHz | |
| 电源电压-最大 | 5.5V | |
| 电源电压-最小 | 2.5V | |
| 电源电流—最大值 | 2mA | |
| 系列 | M24C16-W | |
| 组织 | 2kx8 | |
| 编程电压 | 2.5Vto5.5V | |
| 访问时间 | 900ns | |
| 长度 | 5mm(Max) | |
| 高度 | 1.65mm(Max) | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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M24C16-WMN6TP | STMicro | 数据手册 | 通用存储器 |
8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 5mm(Max) |
￥0.6864
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7,478 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BR24L16F-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 电可擦只读存储器(EEPROM) |
8-SOP |
￥3.8522
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5,920 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24T16FJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-SOIC |
￥0.9966
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3,303 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24S16F-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-SOIC |
￥2.9802
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24T16F-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-SOIC |
￥0.7856
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1,353 | 对比 | ||||||||||||||||
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BR24S16F-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 存储器 |
8-SOIC |
￥2.9802
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920 | 对比 |
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