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小信号MOSFET   SOT-23

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 ZXMP6A13FQTA
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3a-ZXMP6A13FQTA-0
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 60 V 400 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 219pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 400mΩ@900mA,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 1.1A
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