制造商编号 | SIHP18N50C-E3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SIHP18N50C-E3 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
E Series N-Channel 500 V 0.27 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 76nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2942pF @ 25V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
连续漏极电流Id | 18A | |
Pd-功率耗散(Max) | 223W | |
Qg-栅极电荷 | 65nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 225mΩ | |
漏源极电压Vds | 500V | |
栅极电压Vgs | 5V | |
上升时间 | 27ns | |
下降时间 | 44ns | |
典型关闭延迟时间 | 32ns | |
典型接通延迟时间 | 80ns | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single |
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高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SIHP18N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 18A 223W 225mΩ 500V 5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STP18N55M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STP18N55M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPP50R280CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP50R280CEXKSA1_500V 13A 280mΩ 13V 92W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOT22N50L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
22A(Tc) N-Channel ±30V 260 mΩ @ 11A,10V TO-220 417W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPP50R280CEXKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP50R280CE_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |