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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 18A 223W 225mΩ 500V 5V

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制造商编号 SIHP18N50C-E3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-SIHP18N50C-E3
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
E Series N-Channel 500 V 0.27 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF @ 25V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
连续漏极电流Id 18A
Pd-功率耗散(Max) 223W
Qg-栅极电荷 65nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 225mΩ
漏源极电压Vds 500V
栅极电压Vgs 5V
上升时间 27ns
下降时间 44ns
典型关闭延迟时间 32ns
典型接通延迟时间 80ns
通道数量 1Channel
配置 Single
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