首页 > 商品目录 > > > > FDG6316P详细参数资料

小信号MOSFET   2mm SC-70 SOT-363(SC-70) 2.00mm 2.0*1.25*1.0mm

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 FDG6316P
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-FDG6316P
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
分享: 

数据手册

PDF资料下载
暂无数据  

参数信息 常见问题

参数有误?

    技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
系列 FDG
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
零件号别名 FDG6316P_NL
配置 Dual
典型接通延迟时间 5 ns
上升时间 13 ns
栅极电压Vgs 8V
通道数量 2 Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
正向跨导-最小值 2.5 S
Rds On(Max)@Id,Vgs 270mΩ@700mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 146pF @ 6V
Pd-功率耗散(Max) 300mW
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SC-70
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 12V
连续漏极电流Id 0.7A
连续漏极电流Id 700 mA
漏源极电压Vds 12 V
Rds On(Max)@Id,Vgs 650 m0hms
最小栅阈值电压 0.4V
栅极电压Vgs -8 V、+8 V
封装/外壳 SOT-363 (SC-70)
晶体管配置 隔离式
引脚数目 6
FET类型 增强
类别 功率 MOSFET
功率 3/10W
长度 2.00mm
封装/外壳 2.0*1.25*1.0mm
每片芯片元件数目 2
系列 PowerTrench
晶体管材料 Si
漏源极电压Vds 146 pF @ -6 V
典型关断延迟时间 8 ns
宽度 1.25mm
最低工作温度 -55 °C
高度 1mm
最高工作温度 +150 °C
找到类似商品:

Q : 平台上的商品都是正品吗?

A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。

Q : 可以提供原厂代理资质证明吗?

A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质,可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴(如信和达、富昌电子、RS电子),我们对产品都进行了严格的资质审核,拥有原厂标签和相关票据以供查验。

Q : 可以进行线下交易吗?

A : 我们提供线下付款服务,方便公司的采购与财务对接,具体操作流程可在线咨询客服。

Q : 可以退货吗?

A : 下单前请仔细核对产品型号信息,如因自身原因造成的误订错订,唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时,请务必保留原包装和标签,并在两周内联系我们申请退货。

库存 :  0 要订货? 生产周期:8-10W

价格梯度 单价(含税)

暂无价格

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 请咨询客服

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
LBSS138LT1G 120,000
PJA3401-AU_R1_000A1 39,000
L2N7002DW1T1G 30,000
DMN2005LP4K-7 18,000
LSI1012XT1G 14,600
+1

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售