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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | AON | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 746pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 6.3A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 746pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 37.5mΩ@6.3A,10V | |
| 封装/外壳 | DFN2x2B_6L | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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