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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT23-3 | |
FET类型 | N-Channel | |
ESD Diode | No | |
Schottky Diode | No | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | 20V | |
连续漏极电流Id | 5A | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 31mΩ@10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 43mΩ | |
VGS(th) | 2.4 | |
Ciss(pF) | 255 | |
Coss(pF) | 45 | |
Crss(pF) | 35 | |
Qg*(nC) | 2.55 | |
Qgd(nC) | 1.3 | |
Td(on)(ns) | 4.5 | |
Td(off)(ns) | 14.5 | |
Trr(ns) | 8.5 | |
Qrr(nC) | 2.2 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |