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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
系列 | SuperMESH™ | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 280pF @ 25V | |
栅极电压Vgs | ±30V | |
Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8Ω@1A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | DPAK | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 2A |
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STD2HNK60Z
严选库存:20000
小型动态无卤连接器,包含头部、插座和端子三类组件,符合多项国际标准
单通道功率MOSFET驱动器,高度抗闩锁能力
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
专为汽车电子设计的TVS器件,高效保护敏感电子元件免受瞬态电压冲击
可增强GNSS信号灵敏度,适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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STD2HNK60Z | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD60R3K3C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD2N60A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 2A 57W 4700mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |