| 制造商编号 | BSS123N H6327 |
|---|---|
| 商品别名 | BSS123NH6327XTSA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSS123N H6327 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：190mA Rds On(Max)@Id,Vgs：2.4Ω 栅极电压Vgs：20V Pd-功率耗散(Max)：500mW(1/2W)
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 190mA | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4Ω | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Qg-栅极电荷 | 900pC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(1/2W) | |
| 高度 | 1.10mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 系列 | BSS123 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 410mS | |
| 下降时间 | 22ns | |
| 上升时间 | 3.2ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 7.4ns | |
| 典型接通延迟时间 | 2.3ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
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