| 制造商编号 | BSS308PE H6327 |
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| 商品别名 | BSS308PEH6327XTSA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSS308PE H6327 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
封装/外壳：SOT-23 FET类型：P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs：80mΩ@2A,10V Pd-功率耗散(Max)：500mW 工作温度：-55°C~150°C
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80mΩ@2A,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 2A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：50 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
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