制造商编号 | IRLML2244TRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A36-IRLML2244TRPBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single P-Channel 20 V 1.3 W 6.9 nC Surface Mount HexFet Power Mosfet - SOT-23-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.9nC @ 4.5V | |
栅极电压Vgs | ±12V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 570pF @ 16V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.9nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 570pF @ 16V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 54mΩ@4.3A,4.5V | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 4.3A | |
封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:60 | 倍数:1 |
生产日期 : 23+
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLML2244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
¥0.8448
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10,288 | 当前型号 | |||||||||||
DMP2305U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 2.9mm |
¥0.3549
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53,235 | 对比 | |||||||||||
DMP2305U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 2.9mm |
暂无价格 | 45,200 | 对比 | |||||||||||
DMP2100U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | |||||||||||
PMV48XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV48XP_SOT23 |
¥0.8492
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17,040 | 对比 | |||||||||||
RTR030P02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-96 |
¥1.133
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15,621 | 对比 |