制造商编号 | IRF1407PBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A36-IRF1407PBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single N-Channel 75 V 330 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 250nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5600pF @ 25V | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 250nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5600pF @ 25V | |
封装/外壳 | TO-220AB | |
连续漏极电流Id | 130A | |
Pd-功率耗散(Max) | 330W | |
Qg-栅极电荷 | 160 nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.8mΩ | |
漏源极电压Vds | 75V | |
栅极电压Vgs | 20V | |
宽度 | 4.4mm | |
FET类型 | N-Channel | |
通道数量 | 1 Channel | |
配置 | Single | |
长度 | 10mm | |
高度 | 15.65mm |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:1,000
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交期: 3天-15天 |
起订量:10 | 倍数:1 |
生产日期 : 21+
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB 10mm |
¥5.192
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167 | 当前型号 | |||||||||
STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 300,000 | 对比 | |||||||||
STP140NF75 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | |||||||||
STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
¥3.641
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1,979 | 对比 | |||||||||
STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IPP45N06S409AKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |