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功率MOSFET   5.9mm

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制造商编号 BSC0906NS
商品别名 BSC0906NSATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-BSC0906NS
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:63A Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5mΩ 栅极电压Vgs:10V Pd-功率耗散(Max):30W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 63A
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ
栅极电压Vgs 10V
Qg-栅极电荷 13nC
配置 SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散(Max) 30W
高度 1.27mm
长度 5.9mm
FET类型 N-Channel
宽度 5.15mm
正向跨导 - 最小值 40S
下降时间 6.4ns
上升时间 6.8nS
典型关闭延迟时间 12nS
典型接通延迟时间 8.4ns
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  279

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥1.936
100+ ¥1.551
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:5,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  21+

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