| 制造商编号 | BSC035N10NS5ATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSC035N10NS5 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSC035N10NS5ATMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 否 |
| 描述 |
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 100A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 3.5 毫欧 @ 50A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 115uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6500pF @ 50V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 87nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),156W(Tc) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：6 | 倍数：1 |
生产日期 : 23+
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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