| 制造商编号 | DMN3030LFG-7 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMN3030LFG-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 否 |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW(Ta) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@10A,10V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 751 pF @ 10 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 17.4 nC @ 10 V | |
| 封装/外壳 | PowerDI3333-8 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 5.3A(Ta) | |
| 驱动电压 | 4.5V,10V |
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