制造商编号 | DMN62D0LFD-13 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMN62D0LFD-13 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH SOT23
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暂无数据
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 480mW(Ta) | |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 2Ω@100mA,4V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 31 pF @ 25 V | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 500 pF @ 4.5 V | |
封装/外壳 | X1-DFN1212-3 | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 310mA(Ta) | |
驱动电压 | 1.8V,4V |
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¥2
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单价:¥ 总价:¥ |
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交期: 3天-15天 |
起订量:160 | 倍数:1 |
生产日期 : 22+
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQD50N06 | 30,000 |
PMLL4148L,115 | 30,000 |
LN4501LT1G | 25,700 |
PXN012-60QLJ | 18,880 |
100N03A | 12,500 |