| 制造商编号 | DMN62D0LFD-13 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMN62D0LFD-13 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH SOT23
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| PDF资料下载 |
暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 480mW(Ta) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 2Ω@100mA,4V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 31 pF @ 25 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 500 pF @ 4.5 V | |
| 封装/外壳 | X1-DFN1212-3 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 310mA(Ta) | |
| 驱动电压 | 1.8V,4V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：10,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：160 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ZVP4525E6TA | 1,696 |
| DMN62D0UDW-13 | 503 |
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