制造商编号 | DMN26D0UDJ-7 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMN26D0UDJ-7 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
系列 | DMN | |
下降时间 | 15.2 ns, 15.2 ns | |
典型接通延迟时间 | 3.8 ns, 3.8 ns | |
上升时间 | 7.9 ns, 7.9 ns | |
通道数量 | 2 Channel | |
栅极电压Vgs | 450mV,450mV | |
典型关闭延迟时间 | 13.4 ns, 13.4 ns | |
正向跨导-最小值 | 180 mS, 180 mS | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω@100mA,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.05V @ 250µA | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 14.1pF @ 15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 300mW | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-963 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 0.24A |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMZB200UNEYL | 15,500 |
2N7002HR | 12,000 |
S-L2N7002SLT1G | 10,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
RV2C014BCT2CL | 8,000 |