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小信号MOSFET   -55°C~150°C(TJ) SOT-26 6.5A 850mW 24mΩ 20V 900mV

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制造商编号 DMG6968UDM-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMG6968UDM-7
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
DMG Series 20 V 24 mOhm 8.8 nC Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-26
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 143pF @ 10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-26
连续漏极电流Id 6.5A
Pd-功率耗散(Max) 850mW
Qg-栅极电荷 8.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ
漏源极电压Vds 20V
栅极电压Vgs 900mV
上升时间 78ns
下降时间 234ns
典型关闭延迟时间 562ns
典型接通延迟时间 53ns
宽度 1.60mm
系列 DMG6968UDM
通道数量 2Channel
配置 Dual
长度 3mm
高度 1.10mm
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