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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 整流二极管 | |
| 偏差 | ±2% | |
| 齐纳阻抗Zz | 65 Ohms | |
| 反向漏电流Ir | 100nA@13V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | |
| 封装/外壳 | EMD | |
| 齐纳电压Vz | 17.955V | |
| 功率耗散Pd | 150mW |
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低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| BAV99W_R1_00001 | 162,000 |
| GS1010FLAU | 126,000 |
| M7 | 105,000 |
| FM407 | 90,000 |
| PMEG120G20ELRX | 30,633 |
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