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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-220FM | |
FET类型 | N-Channel | |
栅极电压Vgs | ±30V | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 17A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.095Ω@15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 81W |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3周-4周 |
起订量:5 | 倍数:1 |
生产年份 : 2020 年
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6035VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
¥30.0025
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80 | 当前型号 | |||||||||
IPAN50R500CEXKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPAN50R500CE_TO-220-3整包 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IPAN50R500CE | Infineon | 通用MOSFET |
IPAN50R500CEXKSA1_TO-220FullPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
IPAN60R125PFD7S | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
STF33N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
STF35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 |