| 制造商编号 | IRLML2246TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A33-IRLML2246TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single P-Channel 20 V 1.3 W 2.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.9nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 220pF @ 16V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.9nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 220pF @ 16V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 135mΩ@2.6A,4.5V | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 2.6A | |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：160 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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