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功率MOSFET   8-SO

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 IRF7832TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A33-IRF7832TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C~155°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 20A
封装/外壳 8-SO
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库存 :  47

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥5.8453
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:4,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

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